Hyper NA EUV焦深仅约24nm，为何光源反而不是卡点？
2026年10月，全球光刻机巨头ASML与光学合作伙伴蔡司的工程师，联合在学术期刊上发表了一篇技术论文，首次系统披露了下一代EUV光刻机——Hyper NA EUV的完整技术方案。论文将一个野心勃勃的数字摆上台面：把数值孔径（NA）从现役High NA机型的0.55直接拉到0.
ASML &蔡司：未来Hyper NA EUV光刻机主要挑战为更低的可用景深
IT之家 10 月 9 日消息，ASML（阿斯麦）与其光学系统合作伙伴 ZEISS（蔡司）在一份 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率，并在 10 年左右面世。
ASML Hyper NA 遇景深难题，光刻机也难了，韩国备件全面涨价 10%
半导体行业的发展，始终被光刻机这台精密设备牵着节奏走。作为全球唯一能量产 EUV 光刻机的厂商，ASML 联合核心光学合作伙伴蔡司，正在向下一代 Hyper NA EUV 技术发起攻关。
光刻机再突破！NA 值达 0.75，10 年后造 1.25nm 芯片？
日阿斯麦与蔡司联合发布论文，披露了下一代 EUV 光刻技术的路线图，直接把行业的技术天花板又拉高了一截，预计这项技术 10 年后才能就绪。这可不是小打小闹的升级，而是实打实的硬核突破，今天就给大家讲清楚，这项技术到底强在哪，又面临哪些绕不开的挑战。
EUV光刻机，迈向Hyper NA
首台 0.55 NA 光刻机于 2023 年第四季度交付，又过了将近一年时间，即 2024 年第三季度，才在其上曝光了第一片晶圆。
网传十年后量产1.25nm芯片？读懂Hyper NA光刻才明白真相
把“1.25nm 芯片”说成十年后的成品，其实有点把营销话术和物理极限混在一起讲了。ASML 与蔡司这篇论文真正扔进产业里的石头，不是“造出 1.25nm 芯片”，而是把 EUV 的下一代方向钉在了 Hyper NA：数值孔径至少 0.75，13.
芯片制造再迎大招！Hyper-NA光刻机或2036年登场，精度直奔5纳米
芯片行业又传来重磅消息。ASML和光学合作伙伴蔡司的工程师们在同行评审论文里透露，下一代超高数值孔径（Hyper-NA）EUV光刻机有望在大约十年后准备就绪，也就是2036年前后。这台机器能把电路特征做到小至5纳米，比目前最先进的High-NA还要精细三分之一以上。
未来20年制程演进靠High-NA，A3制程将转向Hyper-NA！
8月31日消息，在SEMICON Taiwan 2026 期间，全球顶尖半导体研发机构比利时微电子研究中心（imec）宣布，其先进图形化部门正式更名为“埃米图形化（Ångström Patterning）”部门。
ASML官宣最强光刻机接班人！Hyper NA EUV光刻机蓝图公布：5nm单次曝光
来源：市场资讯（来源：快科技）快科技10月9日消息，ASML与光学合作伙伴蔡司近日在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布目前最强光刻机High NA EUV接班人——Hyper NA EUV光刻机。
ASML下一代光刻机要等十年？能印5纳米线路的Hyper NA来了
芯片制造的核心瓶颈，始终卡在光刻这一步。最近，ASML和它的光学合作伙伴Carl Zeiss在同行评议论文里放出消息：下一代极紫外光刻工具Hyper NA，大概需要十年左右才能准备就绪。