一种面向未来的终极封装猜想
这就引出了一个重要的概念—— Vertical System EM Corridor。光引擎通常安装在边缘附近或靠近交换机、专用集成电路 或光 I/O 模块。
宽禁带科技论| 西安交通大学：碳化硅功率器件的封装与集成
近期，西安交通大学王来利教授团队以Packaging and integration of silicon carbide power devices为题在《Nature Reviews Electrical Engineering》发表综述，系统梳理了这一领域的挑战、进展与未来方向。
市面上被广泛采用的半桥氮化镓芯片都有哪些？这里告诉你
前言随着百瓦充电器以及移动电源的普及，大功率设备也开始使用 USB Type-C 接口进行供电，组建了完整的生态，并且加快了 USB PD 的普及。但是对于高性能的计算设备来说，USB PD3.0 协议提供的 100W 功率不是很够用，最新推出的 USB PD3.
十家氮化镓企业攻克高压GaN内阻难关，向30毫欧进击
前言根据GaNFET.com的统计，当前市面上已有超过400款高压氮化镓功率器件，其中低于50mΩ导阻的氮化镓器件因优异的性能引起广泛关注。这些低导阻器件具备较低的导通损耗、更高的电流密度以及更小的封装尺寸，适用于高频、高效率的电源设计。
市面上的常用半桥氮化镓芯片都有哪些？这里告诉你
前言随着百瓦充电器以及移动电源的普及，大功率设备也开始使用 USB Type-C 接口进行供电，组建了完整的生态，并且加快了 USB PD 的普及。但是对于高性能的计算设备来说，USB PD3.0 协议提供的 100W 功率不是很够用，最新推出的 USB PD3.
英诺赛科 INNDDD1K0A1 1kW LLC DCX 电源参考设计解析
前言随着数据中心、AI 服务器供电架构向 48V 高压母线演进，高功率密度、高频 LLC 直流变压器成为供电链路的核心需求。传统硅基分立方案受器件损耗、寄生参数限制，难以兼顾小型化与转换效率，而氮化镓功率器件凭借零反向恢复、低开关损耗的优势，成为突破体积瓶颈的关键载体。
集成与高效并行，这些低压半桥氮化镓引领电源新趋势
前言半桥拓扑是一种由两个功率器件与电感组成的经典电路结构，通过交替驱动两个功率器件实现电能的高效变换与传输，可灵活实现升压或降压功能。其电路简单、易于实现，且器件电压应力较低，因而在电源转换、电机驱动、逆变器等众多领域得到广泛应用。