站内暂无「buffer layers」的结果，已为你找到以下相关资讯：
第三代半导体为什么这样火？4 张图秒懂GaN、SiC 关键技术
来源：technews(台） 作者：林妤柔第三代半导体是目前高科技领域最热门的话题，在5G、电动车、再生能源、工业4.0发展中扮演不可或缺的角色，即使常听到这些消息，相信许多人对它仍一知半解，那么第三代半导体到底是什么？
最易懂的GaN芯片结构解说：一文吃透 AlGaN、2DEG、HEMT等核心术语
提到 GaN（氮化镓）芯片，大家总能听到GaN、AlGaN、2DEG、HEMT、D-mode、E-mode、pGaN 这些专业名词。专业名词一多了看的时候总容易看不懂，这篇文章就来一文解说这些专业名词，让大家轻松看懂GaN芯片结构。
宽禁带科技论|多晶金刚石在第三代半导体上的异质外延
近日，复旦大学桑立雯团队综述了利用微波等离子体化学气相沉积技术在氮化镓和碳化硅上异质外延多晶金刚石用于热管理的最新研究进展。
这个困扰流体力学100年的公式被找出，作者之一为北航教授
困扰了流体力学领域一个接近100年的公式，终于被科学家们完整地找出来了。这个公式与流体中的一种复杂的流动状态湍流有关，与之对应的是层流现象。
宽禁带科技论|超宽禁带AlGaN获得创纪录的低接触电阻率
近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）李晓航教授团队在富铝AlGaN（Al组分≥80%）欧姆接触领域取得突破性进展。
苹果获得屏下Face ID技术专利，进一步丰富iPhone的灵动岛生态
IT之家 2 月 8 日消息，根据美国商标和专利局公示的最新清单，苹果获得了一项屏下 Face ID 的技术专利，意味着未来 iPhone 机型可以将前置摄像头嵌入到屏幕下方。
金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展
尽管GaN功率器件的理论输出功率可达40 W/mm以上，但是由于现阶段因其自身热效应问题导致GaN HEMT和MMIC器件功率密度仅为3~5 W/mm ，由此可见其自身优势远远未发挥。
用软件方式让挖孔变得不突兀，是苹果的一步妙棋
从 2017 年的 iPhone X 开始，苹果手机上的刘海，一干就是 5 年。虽然大伙老吐槽苹果在刘海上摆烂，但其实果子也不是没努力过。