华理团队联合打造晶圆级光刻胶沉积技术，成功通过下一代光刻验证
“我们搭建了能在大尺寸晶圆上均匀沉积 10 余种下一代先进光刻胶的技术平台体系，这也是目前全球最早报道的在溶液体系沉积咪唑类金属有机光刻胶的研究之一，并且具备晶圆级规模和纳米级的厚度精度。”近日，华东理工大学“计算传递与原子级制造研究室”庄黎伟教授告诉 DeepTech。
进展|单原胞层强磁性钴氧化物超薄膜的实现
大面积且适宜与硅基半导体材料兼容的强磁性超薄量子功能材料对开发下一代纳米甚至亚纳米尺寸、高性能自旋电子器件尤为重要。近些年，研究者们陆续发现了以Fe3GeTe2和CrI3等为代表的兼具铁磁性和垂直磁各向异性的范德瓦尔斯二维材料，掀起了低维磁性材料研究的热潮。
科学家制备氧化锌薄膜晶体管环形振荡器，有望被引入先进芯片制造
在南方科技大学，有这样一位外籍老师——李毅达。他出生和成长于新加坡，甚至本科和博士也在那里完成，但他说得一口流利的中文。而且作为一名半导体领域的专家，他还拥有在台积电工作过的经历。图 | 李毅达（来源：李毅达）在南方科技大学，李毅达的主要研究方向是新型半导体材料器件。
3nm以后的晶体管选择
现代微处理器是世界上最复杂的系统之一，但其核心是一个非常简单的，那就是我们认为非常美丽的装置——晶体管。
台积电介绍3nm后的互连方案
To ensure the additional DoD process steps did not adversely impact the characteristics of the existing Mx metal， TSMC shared evaluation data of metal lines with and without the DoD process. The graphs below show there was no impact to metal line resistance or TDDB/electromigration reliability.
物理所实现单原胞层强磁性钴氧化物超薄膜
大面积且适宜与硅基半导体材料兼容的强磁性超薄量子功能材料对开发下一代纳米甚至亚纳米尺寸、高性能自旋电子器件具有重要意义。近年来，学界陆续发现了以Fe3GeTe2和CrI3等为代表的兼具铁磁性和垂直磁各向异性的范德瓦尔斯二维材料，掀起了低维磁性材料研究的热潮。
新凯来发布6大类31款半导体设备(附产品资料)
3月27日消息，在上海举行的SEMICON China 2025展会期间，国产半导体设备新秀新凯来正式发布了6大类31款新品。
1nm后的芯片：硅迎来最强继任者
本文概述了 2D CFET 面临的挑战和前景，重点关注 2D 材料合成、n/p 型 2D 沟道工程、低电阻金属接触、可靠的栅极介质集成、FEOL/BEOL 兼容性以及 M3D 架构的互连协同设计。
为什么In2O3可以制造0.7 nm原子层薄的晶体管？
研究背景诸如铟镓锌氧化物（IGZO）之类的非晶氧化物半导体是用于平板显示应用的薄膜晶体管（TFTs）中的主要沟道材料。