内存（DRAM 运行内存）完整分类、细分 + 选型适配总表
内存（DRAM 运行内存）完整分类、细分 + 选型适配总表基线说明：日常说的 “内存”= 主存 DRAM（RAM，易失，断电丢数据）；SRAM 为 CPU Cache；ROM/Flash 不属于运行内存。
SRAM与DRAM有什么区别？
SRAM和DRAM是计算机系统中常见的两类随机存取存储器（RAM）。两者都属于易失性存储器，断电后无法保留数据。它们的主要区别在于数据存储方式、是否需要刷新，以及速度、密度和成本。一、什么是SRAM？SRAM，即静态随机存取存储器。 它使用多个晶体管构成的存储单元保存每一位数据。
电RAM vs DRAM：AI算力时代，电容正在复刻存储器的价值重估之路
6月20日，国金证券在最新研报中指出，电容正在成为AI算力系统的“电RAM”——正如HBM是数据的缓冲，电容则是能量的缓冲。
研究存储必看这篇内存干货！讲清HBM，DRAM，NAND Flash
手机参数表上写着"12GB+256GB"，电脑写着"16GB+1TB"。前面那个数字是内存，后面那个是存储——这俩东西名字听着差不多，但其实是两种完全不同的芯片，技术路线天差地别。如果不先搞清楚它们最根本的区别，后面聊 HBM、DRAM、NAND 全都像听天书。
前英特尔CEO押注颠覆性内存技术Z2RAM：融合SRAM速度与DRAM密度
全球人工智能产业的快速扩张正在引发严重的存储芯片供应紧张，尤其是高带宽内存（HBM）需求激增，使传统DRAM产能面临重新分配的压力。
市场研究报告：dram存储器行业发展现状、市场规模及未来前景分析
报告导读：DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是一种利用电容储存电荷来保存数据的易失性半导体存储器。
一张图讲懂DRAM、NAND、HBM区别
一张图讲懂DRAM、NAND、HBM区别一篇看懂 DRAM、NAND Flash、HBM 的区别 1️⃣ DRAM：负责“快速工作” DRAM就是我们常说的运行内存（RAM）。
消息NVIDIA下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM，放弃大SRAM方案
IT之家 10 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，NVIDIA（英伟达）的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。
前英特尔CEO基辛格押注新AI内存：Z2RAM拟绕开EUV光刻，4年内送样
IT之家 10 月 28 日消息，科技媒体 semiconleadersasia 昨日（10 月 27 日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）正通过风投机构 Playground Global，支持内存初创公司 Nagare Labs