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英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题
来源：市场资讯（来源：快科技）快科技10月26日消息，英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机。他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电，可直接用High NA EUV光刻电路。
DRAM将如何微缩？应用材料是这样看的
来源：内容由半导体行业观察（ID:icbank）编译自「semiwiki」，谢谢。
30年后的半导体预测：28nm还会是“甜蜜节点”
受到新冠疫情的影响，远程办公、网络购物迅速普及，PC、各类电子设备、游戏机等销量暴增。其中，在“SEMI 市场”这一环节中，笔者听取了Mckinsey & Company土谷大先生的《半导体产业供应链动力学》后，相当震惊!
后摩尔定律时代，应该关注的芯片技术
编者按:近日，据中国政府网消息，国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议5月14日在北京召开。会议专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
人类会被困在1nm吗？深度解析光刻机与芯片制程的未来
而这个行业中绝对绕不开的话题就是光刻机，以及制造它的王者阿斯麦。近年来不断有人提出疑问，芯片制造触碰到了物理极限了吗?
5nm以后的晶体管选择｜半导体行业观察
在本文，我们回顾了包括如碳纳米管FET，Gate-All-Around FET和化合物半导体在内的潜在晶体管结构和材料，他们被看做解决现有的硅FinFET晶体管在5nm以下节点缩放的问题。